报告题目：抗强辐照CMOS图像传感器的关键技术研究
报告时间：2023年11月21日下午14:00-16:00
报告人：朱宏博 教授（浙江大学）
报告地点： 美国文化交流中心二楼学术报告厅
报告人简介：
朱宏博 ，浙江大学物理学院教授。2004年清华大学工程物理系获学士学位。2009年英国谢菲尔德大学物理与天文学系获博士学位。2009-2013年在德国电子同步加速器研究所（DESY）从事博士后研究工作。2013年人才引进到中国科学院高能物理研究所，任副研究员、研究员。2021年加入浙江大学物理学院。目前主要从事先进硅探测器研制等研究工作。曾担任科技部重点研发计划“大型强子对撞机（LHC）实验探测器升级”项目的“ATLAS实验硅微条径迹探测器升级”课题负责人；带领团队完成环形正负电子对撞机（CEPC）上首个的硅像素传感器原型样片（JadePix-1）的设计与测试工作。现为核仪器与方法（NIMA）期刊客座编辑、国际未来加速器委员会（ICFA）的仪器创新与发展专家组（IID）成员。
报告内容简介：
核电站等强辐射环境下的安全监控对于核设施的安全运行极为关键，目前国内相关场所主要依赖进口的抗辐照相机。机体通常采用笨重的屏蔽结构保护内部核心器件，相机价格昂贵且因为体积、承重等因素导致部署环境受限制。面向此类国家需求，亟待研制抗辐照相机实现“国产替代”，并提高关键性能。CMOS图像传感器作为相机中的核心器件，常见的商用产品的抗辐照性能较为有限。可以借鉴对撞机实验中抗辐照芯片的相关设计，从底层增强其抗辐照性能。大幅简化屏蔽结构，也有利于拓展抗辐照相机的应用场景。报告将重点介绍抗辐照CMOS图像传感器的关键技术、整体规划及最新进展。